Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene una matriz de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada intersección. Tradicionalmente sólo almacenan un bit de información. Las nuevas memorias flash, llamadas también dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar más de un bit por celda variando el número de electrones que almacenan.
Estas
memorias están basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate
Avalanche-Injection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente, un
transistor NMOS con un conductor (basado en un óxido metálico) adicional
localizado o entre la puerta de control (CG – Control Gate) y los terminales
fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG – Floating Gate) o alrededor de
la FG conteniendo los electrones que almacenan la información.
Flash,
como tipo de EEPROM que es, contiene una matriz de celdas con un transistor
evolucionado con dos puertas en cada intersección. Tradicionalmente sólo
almacenan un bit de información. Las nuevas memorias flash, llamadas también
dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar más de un bit por celda
variando el número de electrones que almacenan.
Estas memorias están basadas en el transistor FAMOS
(Floating Gate Avalanche-Injection Metal Oxide Semiconductor) que es,
esencialmente, un transistor NMOS con un conductor (basado en un óxido
metálico) adicional localizado o entre la puerta de control (CG – Control Gate)
y los terminales fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG – Floating Gate)
o alrededor de la FG conteniendo los electrones que almacenan la información.
MEMORIA CACHE
La memoria caché es una clase de memoria RAM estática
(SRAM) de acceso aleatorio y alta velocidad, situada entre el CPU y la RAM; se
presenta de forma temporal y automática para el usuario, que proporciona acceso
rápido a los datos de uso más frecuente.
La
ubicación de la caché entre el microprocesador y la RAM, hace que sea
suficientemente rápida para almacenar y transmitir los datos que el
microprocesador necesita recibir casi instantáneamente.
La
memoria caché es rápida, unas 5 ó 6 veces más que la DRAM (RAM dinámica), por
eso su capacidad es mucho menor. Por eso su precio es elevado, hasta 10 ó 20
veces más que la memoria principal dinámica para la misma cantidad de memoria.
La
utilización de la memoria caché se describe a continuación:
Acelerar
el procesamiento de las instrucciones de memoria en la CPU.
Los
ordenadores tienden a utilizar las mismas instrucciones y (en menor medida),
los mismos datos repetidamente, por ello la caché contiene las instrucciones
más usadas.
No hay comentarios:
Publicar un comentario